SF-3分光干涉式晶片厚度测量仪

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  • 即时计测晶片基板的研磨程序,TTV控制中的厚度!

产品详细介绍

OTSUKA大塚分光干涉式晶片厚度测量仪SF-3

即时计测晶片基板的研磨程序,TTV控制中的厚度!

 

特点:

非接触式、非破坏性光学式膜厚检测

光谱解析后设置条件。

可进行高速的即时的研磨检测。

可穿越保护膜,观景窗等中间层的检测。

可解析多层厚度。

搭载独自解析引擎(专利申请中)。

采用最适合膜厚检测的独自解析演算法(已取得专利)。

可自动进行膜厚分布制图。

 

规格:

膜厚测量范围

0.1 μm10 μm15 μm1000 μm、晶片

10 μm775 μm*50 μm1600 μm*

重复精度

0.01%以下

测量时间

最快200 μsec5kHZ

测量光源

半导体光源

测量口径

最小φ6 μm

WD

根据10mm以上任意距离而定

尺寸

123(W)× 224(D)×128(H)mm(突起特除外)

 


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